초급 게르마늄 자유기반의 형성
메톡시화 및 히드록시화 몰리브덴은 첩질소 자유기 단전자 전이에 의해 산화되어 게르마늄 자유기반을 형성할 수 있다.이 과정은 보통 적절한 산화제가 존재하거나 첩질소가 생기는 조건에서 발생한다.
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초급 게르마늄 자유기반의 형성의 학술 논문
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One-Electron Oxidation of Methoxylated and Hydroxylated Indoles by N3 radicals. 1. Characterization of the Primary Indolic Radicals
화학 물질
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6-(Benzyloxy)-5-methoxy-1-methylindole
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