개선된 BDT 소재를 사용해 OFET를 제조할 수 있다.이는 일반적으로 소스 극과 누극을 갖는 기판에 반도체 물질을 증착하는 것과 절연층을 포함하는 것에 관한 것이다.그런 다음 OFET의 성능을 평가할 수 있습니다.
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2,6-bis((4-hexylphenyl)ethynylene)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene
4-methylthio-6-phenyl-3-phenylsulfonyl-2H-2-one
7
5-(4-hydroxyphenyl)-2-(1-butyloxy)pyrimidine
C11H17NS2