게르마늄 촉매는 FU-PHOS 배위와 손성락합물을 형성한다. 엔프로필 기저물은 게르마늄 촉매에 결합되어 있다. 친핵 시약은 엔프로필카본을 공격해 이탈기단을 대체한다. Fu-Phos 리간드에 의해 제공되는 손성환경에 의해 친핵분자가 높은 대영체 선택성을 갖는 엔프로필렌 탄소를 공격하도록 유도하여 수성 생성물의 형성을 초래한다.
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dimethyl (1R,2E)-(1-phenylbut-2-en-1-yl)malonate
Cyclohexanol, 5-methyl-2-(1-methylethyl)-, phenylcarbamate
(E)-hex-1-ene-1,6-diyldibenzene
N-benzylidene-bis(4-methoxy-3,5-di-tert-butylphenyl)methylamine
C27H45N3O2S
bis[2-(tert-butylsulfonyl)phenyl] diselenide
(2S,3R)-2,6,6-Trimethyl-5-oxo-3-phenyl-heptanoic acid tert-butyl ester
4-butyl-4-hydroxycyclohexanon
Pd2Br2(P(C4H9)(C(CH3)3)2)2(COC6H4CF3)2
ethyl (2R,3S)-3-(2,4-dinitrophenyl)-2-hydroxy-3-(4-methylphenylsulfonamido)propanoate
4-methyl-4-(3-methyl-2-butenyl)-2-phenyl-2-oxazolin-5-one
1-methyl-3-(2,4,5-triphenyl-cyclopenta-1,4-dienyl)-1H-indole